Dependencia de las propiedades ópticas y estructurales con la concentración de oxígeno de películas delgadas de TiOx depositadas por RF-sputtering reactivo

Se prepararon películas de TiOx por la técnica de RF-sputtering reactivo a partir de un blanco de Ti en una atmósfera O2-Ar. Para obtener los subóxidos (TiOx) el contenido de oxígeno dentro de la cámara de crecimiento se controló a través de los flujos de entrada de los gases con fracciones O2/Ar de...

Descripción completa

Detalles Bibliográficos
Autores: Hernandez-Rodriguez, E., Zapata-Navarro, A.
Tipo de recurso: artículo
Estado:Versión publicada
Fecha de publicación:2008
País:México
Institución:Instituto Politécnico Nacional
Repositorio:Repositorio Digital del IPN
OAI Identifier:oai:www.repositoriodigital.ipn.mx:123456789/10945
Acceso en línea:http://hdl.handle.net/123456789/454
http://www.repositoriodigital.ipn.mx/handle/123456789/10945
Access Level:acceso abierto
Palabra clave:peliculas delgadas
id MX_166edfa13a70b4c8f6cfb99c4e9c7b6d
oai_identifier_str oai:www.repositoriodigital.ipn.mx:123456789/10945
network_acronym_str MX
network_name_str México
repository_id_str
spelling Dependencia de las propiedades ópticas y estructurales con la concentración de oxígeno de películas delgadas de TiOx depositadas por RF-sputtering reactivoHernandez-Rodriguez, E.Zapata-Navarro, A.peliculas delgadasSe prepararon películas de TiOx por la técnica de RF-sputtering reactivo a partir de un blanco de Ti en una atmósfera O2-Ar. Para obtener los subóxidos (TiOx) el contenido de oxígeno dentro de la cámara de crecimiento se controló a través de los flujos de entrada de los gases con fracciones O2/Ar de 0 a 2.5. Los espectros de DRX mostraron que las películas crecen amorfas y que después de tratamiento térmico a 700° C cristalizan, observándose la formación de subóxidos y la presencia de fases cristalinas del TiO2 como función del contenido de oxígeno. El ancho de banda de energía prohibida varía de manera no lineal con O2/Ar y tiene un valor máximo para las películas amorfas de 2.94 eV y para las películas cristalinas de 2.71 eV. Existen tres regiones de depósito.Articulo en extenso en memoria de simposioInstituto Politecnico NacionalInstituto Politecnico Nacional2012-03-26T23:34:16Z2012-03-26T23:34:16Z2008-062013-01-16T11:16:41Z2013-01-16T11:16:41Z2013-01-16info:eu-repo/semantics/publishedVersioninfo:eu-repo/semantics/article978-607-414-014-9http://hdl.handle.net/123456789/454http://www.repositoriodigital.ipn.mx/handle/123456789/10945reponame:Repositorio Digital del IPNinstname:Instituto Politécnico Nacionalinstacron:IPNesinfo:eu-repo/semantics/openAccessoai:www.repositoriodigital.ipn.mx:123456789/109452026-02-18T16:40:47Z
dc.title.none.fl_str_mv Dependencia de las propiedades ópticas y estructurales con la concentración de oxígeno de películas delgadas de TiOx depositadas por RF-sputtering reactivo
title Dependencia de las propiedades ópticas y estructurales con la concentración de oxígeno de películas delgadas de TiOx depositadas por RF-sputtering reactivo
spellingShingle Dependencia de las propiedades ópticas y estructurales con la concentración de oxígeno de películas delgadas de TiOx depositadas por RF-sputtering reactivo
Hernandez-Rodriguez, E.
peliculas delgadas
title_short Dependencia de las propiedades ópticas y estructurales con la concentración de oxígeno de películas delgadas de TiOx depositadas por RF-sputtering reactivo
title_full Dependencia de las propiedades ópticas y estructurales con la concentración de oxígeno de películas delgadas de TiOx depositadas por RF-sputtering reactivo
title_fullStr Dependencia de las propiedades ópticas y estructurales con la concentración de oxígeno de películas delgadas de TiOx depositadas por RF-sputtering reactivo
title_full_unstemmed Dependencia de las propiedades ópticas y estructurales con la concentración de oxígeno de películas delgadas de TiOx depositadas por RF-sputtering reactivo
title_sort Dependencia de las propiedades ópticas y estructurales con la concentración de oxígeno de películas delgadas de TiOx depositadas por RF-sputtering reactivo
dc.creator.none.fl_str_mv Hernandez-Rodriguez, E.
Zapata-Navarro, A.
author Hernandez-Rodriguez, E.
author_facet Hernandez-Rodriguez, E.
Zapata-Navarro, A.
author_role author
author2 Zapata-Navarro, A.
author2_role author
dc.subject.none.fl_str_mv peliculas delgadas
topic peliculas delgadas
description Se prepararon películas de TiOx por la técnica de RF-sputtering reactivo a partir de un blanco de Ti en una atmósfera O2-Ar. Para obtener los subóxidos (TiOx) el contenido de oxígeno dentro de la cámara de crecimiento se controló a través de los flujos de entrada de los gases con fracciones O2/Ar de 0 a 2.5. Los espectros de DRX mostraron que las películas crecen amorfas y que después de tratamiento térmico a 700° C cristalizan, observándose la formación de subóxidos y la presencia de fases cristalinas del TiO2 como función del contenido de oxígeno. El ancho de banda de energía prohibida varía de manera no lineal con O2/Ar y tiene un valor máximo para las películas amorfas de 2.94 eV y para las películas cristalinas de 2.71 eV. Existen tres regiones de depósito.
publishDate 2008
dc.date.none.fl_str_mv 2008-06
2012-03-26T23:34:16Z
2012-03-26T23:34:16Z
2013-01-16T11:16:41Z
2013-01-16T11:16:41Z
2013-01-16
dc.type.none.fl_str_mv info:eu-repo/semantics/publishedVersion
info:eu-repo/semantics/article
format article
status_str publishedVersion
dc.identifier.none.fl_str_mv 978-607-414-014-9
http://hdl.handle.net/123456789/454
http://www.repositoriodigital.ipn.mx/handle/123456789/10945
identifier_str_mv 978-607-414-014-9
url http://hdl.handle.net/123456789/454
http://www.repositoriodigital.ipn.mx/handle/123456789/10945
dc.language.none.fl_str_mv es
language_invalid_str_mv es
dc.rights.none.fl_str_mv info:eu-repo/semantics/openAccess
eu_rights_str_mv openAccess
dc.publisher.none.fl_str_mv Instituto Politecnico Nacional
publisher.none.fl_str_mv Instituto Politecnico Nacional
dc.source.none.fl_str_mv reponame:Repositorio Digital del IPN
instname:Instituto Politécnico Nacional
instacron:IPN
instname_str Instituto Politécnico Nacional
instacron_str IPN
institution IPN
reponame_str Repositorio Digital del IPN
collection Repositorio Digital del IPN
repository.name.fl_str_mv
repository.mail.fl_str_mv
_version_ 1858174503594491904
score 15,81155

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