Dependencia de las propiedades ópticas y estructurales con la concentración de oxígeno de películas delgadas de TiOx depositadas por RF-sputtering reactivo
Se prepararon películas de TiOx por la técnica de RF-sputtering reactivo a partir de un blanco de Ti en una atmósfera O2-Ar. Para obtener los subóxidos (TiOx) el contenido de oxígeno dentro de la cámara de crecimiento se controló a través de los flujos de entrada de los gases con fracciones O2/Ar de...
| Autores: | , |
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| Tipo de recurso: | artículo |
| Estado: | Versión publicada |
| Fecha de publicación: | 2008 |
| País: | México |
| Institución: | Instituto Politécnico Nacional |
| Repositorio: | Repositorio Digital del IPN |
| OAI Identifier: | oai:www.repositoriodigital.ipn.mx:123456789/10945 |
| Acceso en línea: | http://hdl.handle.net/123456789/454 http://www.repositoriodigital.ipn.mx/handle/123456789/10945 |
| Access Level: | acceso abierto |
| Palabra clave: | peliculas delgadas |
| Sumario: | Se prepararon películas de TiOx por la técnica de RF-sputtering reactivo a partir de un blanco de Ti en una atmósfera O2-Ar. Para obtener los subóxidos (TiOx) el contenido de oxígeno dentro de la cámara de crecimiento se controló a través de los flujos de entrada de los gases con fracciones O2/Ar de 0 a 2.5. Los espectros de DRX mostraron que las películas crecen amorfas y que después de tratamiento térmico a 700° C cristalizan, observándose la formación de subóxidos y la presencia de fases cristalinas del TiO2 como función del contenido de oxígeno. El ancho de banda de energía prohibida varía de manera no lineal con O2/Ar y tiene un valor máximo para las películas amorfas de 2.94 eV y para las películas cristalinas de 2.71 eV. Existen tres regiones de depósito. |
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