FTIR and electrical characterization of a-Si:H layers deposited by PECVD at different boron ratios
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| Tipo de recurso: | artículo |
| Estado: | Versión publicada |
| Fecha de publicación: | 2012 |
| País: | México |
| Institución: | Instituto Politécnico Nacional |
| Repositorio: | Repositorio Digital del IPN |
| OAI Identifier: | oai:www.repositoriodigital.ipn.mx:123456789/8610 |
| Acceso en línea: | http://www.repositoriodigital.ipn.mx/handle/123456789/8610 |
| Access Level: | acceso abierto |
| Palabra clave: | Hydrogenated amorphous silicon Vibrational modes PECVD |
| Sumario: | article |
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