Size and shape tunability of self-assembled InAs/GaAs nanostructures through the capping rate

Detalles Bibliográficos
Autores:	Utrilla Lomas, Antonio David, Grossi, Davide F., Reyes, Daniel F., Gonzalo Martín, Alicia\|\|\|0000-0002-8449-388X, Braza, Verónica, Ben, Teresa\|\|\|0000-0003-4842-1472, González, David, Guzman, Alvaro, Hierro Cano, Adrián\|\|\|0000-0002-0414-4920, Koenraad, Paul M., Ulloa Herrero, José María\|\|\|0000-0002-5679-372X
Tipo de recurso:	artículo
Fecha de publicación:	2018
País:	España
Institución:	Universidad Politécnica de Madrid
Repositorio:	Archivo Digital UPM
OAI Identifier:	oai:oa.upm.es:78172
Acceso en línea:	https://oa.upm.es/78172/
Access Level:	acceso abierto
Palabra clave:	Molecular beam epitaxy Quantum dot Quantum ring Wetting layer Capping rate Dissolution process

Descripción
Descripción no disponible.