Thin GaAsSb capping layers for improved performance of InAs/GaAs quantum dot solar cells

Detalles Bibliográficos
Autores:	Utrilla Lomas, Antonio David, Reyes, D.F., Llorens Molina, Juan Antonio, Artacho Huertas, Irene\|\|\|0000-0003-0213-2966, Ben, T., González, D., Gacevic, Zarko\|\|\|0000-0003-0552-2169, Kurtz de Griñó, Alejandro, Guzmán, Luis Alberto, Hierro Cano, Adrián\|\|\|0000-0002-0414-4920, Ulloa Herrero, José María\|\|\|0000-0002-5679-372X
Tipo de recurso:	artículo
Fecha de publicación:	2016
País:	España
Institución:	Universidad Politécnica de Madrid
Repositorio:	Archivo Digital UPM
OAI Identifier:	oai:oa.upm.es:46040
Acceso en línea:	https://oa.upm.es/46040/
Access Level:	acceso abierto
Palabra clave:	Solar cells Quantum dots GaAsSb Capping layers Type-II Carrier collection efficiency

Descripción
Descripción no disponible.