Analysis of germanium epiready wafers for III-V heteroepitaxy

Detalles Bibliográficos
Autores:	Rey-Stolle Prado, Ignacio\|\|\|0000-0002-4919-5609, Barrigón Montañés, Enrique, Galiana Blanco, Beatriz, Algora del Valle, Carlos\|\|\|0000-0003-1872-7243
Tipo de recurso:	artículo
Fecha de publicación:	2008
País:	España
Institución:	Universidad Politécnica de Madrid
Repositorio:	Archivo Digital UPM
OAI Identifier:	oai:oa.upm.es:2725
Acceso en línea:	https://oa.upm.es/2725/
Access Level:	acceso abierto
Palabra clave:	A1. Substrates A1. Surface processes A3. Metalorganic vapor-phase epitaxy B2. Semiconducting germanium.

Descripción
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