MOVPE growth of GaP on Si with As initial coverage

Detalles Bibliográficos
Autores: Navarro, A., García-Tabarés Valdivieso, Elisa, Galiana Blanco, Beatriz, Cano, P., Rey-Stolle Prado, Ignacio|||0000-0002-4919-5609, Ballesteros Pérez, Carmen Inés
Tipo de recurso: artículo
Fecha de publicación:2017
País:España
Institución:Universidad Politécnica de Madrid
Repositorio:Archivo Digital UPM
OAI Identifier:oai:oa.upm.es:50357
Acceso en línea:https://oa.upm.es/50357/
Access Level:acceso abierto
Palabra clave:Semiconducting III-V materials
Solar cells
Metalorganic vapor phase epitaxy
Gallium compounds
Interfaces
Crystal structure and semiconducting silicon
Descripción
Descripción no disponible.