Growth of non-polar m-plane GaN pseudo-substrates by Molecular beam epitaxy

Detalles Bibliográficos
Autores: Fernando Saavedra, Amalia Luisa|||0000-0002-5716-2591, Albert, Steven, Bengoechea Encabo, Ana, Trampert, Achim, Xie, Mengyao, Sánchez García, Miguel Ángel|||0000-0002-1494-9351, Calleja Pardo, Enrique|||0000-0002-3686-8982
Tipo de recurso: artículo
Fecha de publicación:2023
País:España
Institución:Universidad Politécnica de Madrid
Repositorio:Archivo Digital UPM
OAI Identifier:oai:oa.upm.es:85781
Acceso en línea:https://oa.upm.es/85781/
Access Level:acceso abierto
Palabra clave:A1.Etching A3.Molecular beam epitaxy A3.Selective epitaxy B1.Nitrides B2.Semiconducting III-V materials
Descripción
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