Physics-Based Analytical Model for Input, Output, and Reverse Capacitance of a GaN HEMT With the Field-Plate Structure

Detalles Bibliográficos
Autores:	Cucak, Dejana, Vasic, Miroslav\|\|\|0000-0001-9597-6409, García Suárez, Oscar\|\|\|0000-0001-6042-3855, Oliver Ramírez, Jesús Angel\|\|\|0000-0002-5286-5378, Alou Cervera, Pedro\|\|\|0000-0002-2985-1330, Cobos Márquez, José Antonio\|\|\|0000-0003-4542-2656, Wang, Ashu, Martín Horcajo, Sara, Romero Rojo, Fátima\|\|\|0000-0002-3940-8009, Calle Gómez, Fernando\|\|\|0000-0001-7869-6704
Tipo de recurso:	artículo
Fecha de publicación:	2017
País:	España
Institución:	Universidad Politécnica de Madrid
Repositorio:	Archivo Digital UPM
OAI Identifier:	oai:oa.upm.es:93121
Acceso en línea:	https://oa.upm.es/93121/
Access Level:	acceso abierto
Palabra clave:	Affordable and clean energy ALGAN/GAN HEMTS Analytical models breakdown voltage Capacitance Design Optimization EFFECT TRANSISTORS Field-plate structure Gallium nitride GaN-based high-electron mobility transistors (HEMTs) HEMT design optimization HEMTs Logic Gates Mathematical Model MODFETs OFF-state capacitance modeling OFFstate capacitance modeling physics-based model Transmitters

Descripción
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