Analysis of the Switching Characteristics of GaN HEMTs Using Double-Pulse Test and a Buck Converter

Análisis de las características de conmutación de los transistores de nitruro de galio (GaN) utilizando un test de doble pulso y un convertidor Buck

Detalles Bibliográficos
Autor: García Villa, Rafael
Tipo de recurso: tesis de maestría
Fecha de publicación:2018
País:España
Institución:Universidad de Oviedo (UNIOVI)
Repositorio:RUO. Repositorio Institucional de la Universidad de Oviedo
Idioma:inglés
OAI Identifier:oai:digibuo.uniovi.es:10651/49544
Acceso en línea:http://hdl.handle.net/10651/49544
Access Level:acceso abierto
Palabra clave:Eléctronica de potencia
GaN HEMTs
Descripción
Sumario:Análisis de las características de conmutación de los transistores de nitruro de galio (GaN) utilizando un test de doble pulso y un convertidor Buck