Impact of N on the atomic-scale Sb distribution in quaternary GaAsSbN-capped InAs quantum dots
| Autores: | , , , , , , |
|---|---|
| Tipo de recurso: | artículo |
| Fecha de publicación: | 2012 |
| País: | España |
| Institución: | Universidad Politécnica de Madrid |
| Repositorio: | Archivo Digital UPM |
| OAI Identifier: | oai:oa.upm.es:16344 |
| Acceso en línea: | https://oa.upm.es/16344/ |
| Access Level: | acceso abierto |
| Palabra clave: | III-V quantum dots GaAsSb N incorporation Sb distribution Strain state |
| Descripción no disponible. |