Characterization of Cr implanted GaAs processed with ArF and Nd-YAG laser melting

14 pages, 9 figures, 2 tables . -- Special Issue on Ultra-doped Semiconductors for Electronic, Photonic and Spintronic Applications

Detalles Bibliográficos
Autores:	Algaidy, Sari, Caudevilla, Daniel, Benítez-Fernández, Rafael, Duarte-Cano, Sebastián, Pérez-Zenteno, Francisco, García-Hernansanz, Rodrigo, San Andres, Enrique, García-Hemme, Eric, Olea, Javier, Siegel, Jan, Gonzalo de los Reyes, J., Pastor, David, Del Prado, Alvaro
Tipo de recurso:	artículo
Estado:	Versión aceptada para publicación
Fecha de publicación:	2025
País:	España
Institución:	Consejo Superior de Investigaciones Científicas (CSIC)
Repositorio:	DIGITAL.CSIC. Repositorio Institucional del CSIC
OAI Identifier:	oai:digital.csic.es:10261/393023
Acceso en línea:	http://hdl.handle.net/10261/393023 https://api.elsevier.com/content/abstract/scopus_id/105003941204
Access Level:	acceso embargado
Palabra clave:	Gallium arsenide Ion implantation Laser processing Supersaturated semiconductors

Descripción
Sumario:	14 pages, 9 figures, 2 tables . -- Special Issue on Ultra-doped Semiconductors for Electronic, Photonic and Spintronic Applications