High-quality single-crystalline epitaxial regrowth on pulsed laser melting of Ti implanted GaAs

8 pags., 8 figs.

Detalles Bibliográficos
Autores:	Algaidy, S., Caudevilla, D., Perez-Zenteno, F., García-Hernansanz, R., García-Hemme, E., Olea, J., San Andrés, E., Duarte-Cano, S., Siegel, Jan, Gonzalo de los Reyes, J., Pastor, D., Prado, A. del
Tipo de recurso:	artículo
Estado:	Versión publicada
Fecha de publicación:	2023
País:	España
Institución:	Consejo Superior de Investigaciones Científicas (CSIC)
Repositorio:	DIGITAL.CSIC. Repositorio Institucional del CSIC
OAI Identifier:	oai:digital.csic.es:10261/306596
Acceso en línea:	http://hdl.handle.net/10261/306596 https://api.elsevier.com/content/abstract/scopus_id/85140988647
Access Level:	acceso abierto
Palabra clave:	Gallium compounds Ion implantation Pulsed laser melting Supersaturated material Titanium

Descripción
Sumario:	8 pags., 8 figs.