Analysis and control of the intermediate memory states of RRAM devices by means of admittance parameters

Producción Científica

Detalles Bibliográficos
Autores:	Castán Lanaspa, María Helena, Dueñas Carazo, Salvador, García García, Héctor, González Ossorio, Óscar, Domínguez, Leidy Azucena, Sahelices Fernández, Benjamín, Miranda, Enrique, Bargalló González, Mireia, Campabadal Segura, Francesca
Tipo de recurso:	artículo
Estado:	Versión publicada
Fecha de publicación:	2018
País:	España
Institución:	Universidad de Valladolid
Repositorio:	UVaDOC. Repositorio Documental de la Universidad de Valladolid
OAI Identifier:	oai:uvadoc.uva.es:10324/44651
Acceso en línea:	https://doi.org/10.1063/1.5024836 http://uvadoc.uva.es/handle/10324/44651
Access Level:	acceso abierto
Palabra clave:	Metal oxides Óxidos metálicos Dielectric properties Propiedades dieléctricas Thin films Láminas delgadas

Descripción
Sumario:	Producción Científica