The role of defects in the resistive switching behavior of Ta2O5-TiO2-based metal–insulator–metal (MIM) devices for memory applications

Producción Científica

Detalles Bibliográficos
Autores:	Dueñas Carazo, Salvador, Castán Lanaspa, María Helena, García García, Héctor, González Ossorio, Óscar, Domínguez, Leidy Azucena, Seemen, Helina, Tamm, Aile, Kukli, Kaupo, Aarik, Jaan
Tipo de recurso:	artículo
Estado:	Versión borrador
Fecha de publicación:	2018
País:	España
Institución:	Universidad de Valladolid
Repositorio:	UVaDOC. Repositorio Documental de la Universidad de Valladolid
OAI Identifier:	oai:uvadoc.uva.es:10324/45137
Acceso en línea:	https://doi.org/10.1007/s11664-018-6105-0 http://uvadoc.uva.es/handle/10324/45137
Access Level:	acceso abierto
Palabra clave:	Resistive switching Conmutación resistiva Tantalum oxide Pentóxido de tántalo Titanium oxide Óxido de titanio

Descripción
Sumario:	Producción Científica