Compact modeling for multi-gate mosfets using advanced transport models
En aquesta tesi hem desenvolupat models compactes que incorporen un model de transport hidrodinàmic adaptat a multi-gate (principalment double-gate (DG) and surrounding-gate (SRG) MOSFETs a partir de models unificats de control de càrrega I del potencial de superfície, obtinguts de l’equació de Pois...
| Autor: | |
|---|---|
| Formato: | tesis doctoral |
| Estado: | Versión publicada |
| Fecha de publicación: | 2013 |
| País: | España |
| Recursos: | CBUC, CESCA |
| Repositorio: | TDR. Tesis Doctorales en Red |
| OAI Identifier: | oai:www.tdx.cat:10803/111165 |
| Acesso em linha: | http://hdl.handle.net/10803/111165 |
| Access Level: | acceso abierto |
| Palavra-chave: | compact modeling Multi-gate MOSFETs Advanced Transport models 621.3 |
| Resumo: | En aquesta tesi hem desenvolupat models compactes que incorporen un model de transport hidrodinàmic adaptat a multi-gate (principalment double-gate (DG) and surrounding-gate (SRG) MOSFETs a partir de models unificats de control de càrrega I del potencial de superfície, obtinguts de l’equació de Poisson. Tots aquests dispositius es modelitzen seguint un esquema semblant. El corrent i càrregues totals s’escriuen en funció de les densitats de càrrega mòbil per unitat d’àrea als extrems drenador i font del canal. Els efectes de canal curt i quàntics també s’inclouen en el model compacte desenvolupat. El model desenvolupat mostra un bon acord amb simulacions numèriques 2D i 3D en tots els règims d’operació. El model desenvolupat s’implementa i testeja al simulador de circuits SMASH per a l’anàlisi dels comportaments DC i transitori de circuits CMOS. |
|---|