Compact modeling for multi-gate mosfets using advanced transport models
En esta tesis hemos desarrollado modelos compactos que incorporan un modelo de transporte hidrodinámico adaptado a multi-gate (principalmente double-gate (DG) and surrounding-gate (SRG) MOSFETs a partir de modelos unificados de control de carga I del potencial de superficie, obtenidos de la ecuación...
| Autor: | |
|---|---|
| Tipo de recurso: | tesis doctoral |
| Estado: | Versión publicada |
| Fecha de publicación: | 2013 |
| País: | España |
| Institución: | Universitat Rovira i virgili (URV) |
| Repositorio: | Repositori Institucional de la Universitat Rovira i Virgili |
| OAI Identifier: | oai:urv.cat:TDX:1191 |
| Acceso en línea: | https://hdl.handle.net/20.500.11797/TDX1191 http://hdl.handle.net/10803/111165 |
| Access Level: | acceso abierto |
| Palabra clave: | 621.3 - Enginyeria elèctrica. Electrotècnia. Telecomunicacions |
| Sumario: | En esta tesis hemos desarrollado modelos compactos que incorporan un modelo de transporte hidrodinámico adaptado a multi-gate (principalmente double-gate (DG) and surrounding-gate (SRG) MOSFETs a partir de modelos unificados de control de carga I del potencial de superficie, obtenidos de la ecuación de Poisson. Todos estos dispositivos se modelizan siguiendo un esquema similar. La corriente y cargas totales escriben en función de las densidades de carga móvil por unidad de área en los extremos drenador y fuente del canal. Los efectos de canal corto y cuánticos también se incluyen en el modelo compacto desarrollado. El modelo desarrollado muestra un buen acuerdo con simulaciones numéricas 2D y 3D en todos los regímenes de operación. El modelo desarrollado se implementa y testea el simulador de circuitos SMASH para el análisis de los comportamientos DC y transitorio de circuitos CMOS. |
|---|