We report on hole g-factor measurements in three terminal SiGe self-assembled quantum dot devices with a top gate electrode positioned very close to the nanostructure. Measurements of both the perpendicular as well as the parallel g-factor reveal significant changes for a small modulation of the top...
Detalles Bibliográficos
| Autores: |
Ares, N.,
Katsaros, G.,
Golovach, Vitaly N.,
Zhang, J. J.,
Prager, A.,
Glazman, L. I.,
Schmidt, O. G.,
Franceschi, Silvano de |
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| Tipo de recurso: | artículo
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| Estado: | Versión publicada |
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| Fecha de publicación: | 2013 |
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| País: | España |
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| Institución: | Consejo Superior de Investigaciones Científicas (CSIC) |
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| Repositorio: | DIGITAL.CSIC. Repositorio Institucional del CSIC |
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| OAI Identifier: | oai:digital.csic.es:10261/102156 |
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| Acceso en línea: | http://hdl.handle.net/10261/102156
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| Access Level: | acceso abierto |
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