Raman study of self-assembled InAs/InP quantum wire stacks with varying spacer thickness

http://link.aip.org/link/?JAPIAU/104/033523/1

Detalles Bibliográficos
Autores:	Angelova, T., Cros, A., Cantarero, Andrés, Fuster, David, González Sotos, Luisa, González Díez, Yolanda
Tipo de recurso:	artículo
Fecha de publicación:	2008
País:	España
Institución:	Consejo Superior de Investigaciones Científicas (CSIC)
Repositorio:	DIGITAL.CSIC. Repositorio Institucional del CSIC
OAI Identifier:	oai:digital.csic.es:10261/11697
Acceso en línea:	http://hdl.handle.net/10261/11697
Access Level:	acceso abierto
Palabra clave:	Annealing Critical points III-V semiconductors Indium compounds Phonons Raman spectra Self-assembly Semiconductor quantum wires

Descripción
Sumario:	http://link.aip.org/link/?JAPIAU/104/033523/1