Effect of reactive ion beam etching on the photoluminescence of CdTe epitaxial layers

http://link.aip.org/link/?JAPIAU/103/056108/1

Detalles Bibliográficos
Autores:	Martínez Pastor, Juan Pascual, Fuster, David, Abellán Rubio, María de los Ángeles, Anguita, José Virgilio, Sochinskii, N. V.
Tipo de recurso:	artículo
Fecha de publicación:	2008
País:	España
Institución:	Consejo Superior de Investigaciones Científicas (CSIC)
Repositorio:	DIGITAL.CSIC. Repositorio Institucional del CSIC
OAI Identifier:	oai:digital.csic.es:10261/11694
Acceso en línea:	http://hdl.handle.net/10261/11694
Access Level:	acceso abierto
Palabra clave:	Cadmium compounds Etching II-VI semiconductors Impurities Ion beam assisted deposition MOCVD Photoluminescence Sapphire Semiconductor epitaxial layers Spectral line intensity Vapour phase epitaxial growth

Descripción
Sumario:	http://link.aip.org/link/?JAPIAU/103/056108/1