Fabrication of non-polar AlN films by ICP etching and overgrowth by MBE

Detalles Bibliográficos
Autores: Fernando Saavedra, Amalia Luisa|||0000-0002-5716-2591, Albert, Steven, Bengoechea Encabo, Ana, Schmidt, Gordon, Bertram, Frank, Xie, Mengyao, Trampert, Achim, Christen, Juergen, Sánchez García, Miguel Ángel|||0000-0002-1494-9351, Calleja Pardo, Enrique|||0000-0002-3686-8982
Tipo de recurso: artículo
Fecha de publicación:2024
País:España
Institución:Universidad Politécnica de Madrid
Repositorio:Archivo Digital UPM
OAI Identifier:oai:oa.upm.es:85783
Acceso en línea:https://oa.upm.es/85783/
Access Level:acceso abierto
Palabra clave:Molecular beam epitaxy
Nitrides
AlN
Pseudosubstrate
III-V semiconductors
Etching
Descripción
Descripción no disponible.

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