Self-trapping in B-doped amorphous Si: Intrinsic origin of low acceptor efficiency

Producción Científica

Detalhes bibliográficos
Autores: Santos Tejido, Iván, Castrillo, P., Windl, W., Drabold, D. A., Pelaz Montes, María Lourdes, Marqués Cuesta, Luis Alberto
Tipo de documento: artigo
Data de publicação:2010
País:España
Recursos:Universidad de Valladolid
Repositório:UVaDOC. Repositorio Documental de la Universidad de Valladolid
OAI Identifier:oai:uvadoc.uva.es:10324/31965
Acesso em linha:https://doi.org/10.1103/PhysRevB.81.033203
http://uvadoc.uva.es/handle/10324/31965
Access Level:Acceso aberto
Palavra-chave:Silicio cristalino
Crystalline silicon
Descrição
Resumo:Producción Científica