High efficient luminescence in type-II GaAsSb-capped InAs quantum dots upon annealing
| Autores: | , , , , , , |
|---|---|
| Tipo de recurso: | artículo |
| Fecha de publicación: | 2012 |
| País: | España |
| Institución: | Universidad Politécnica de Madrid |
| Repositorio: | Archivo Digital UPM |
| OAI Identifier: | oai:oa.upm.es:16349 |
| Acceso en línea: | https://oa.upm.es/16349/ |
| Access Level: | acceso abierto |
| Palabra clave: | gallium arsenide III-V semiconductors indium compounds photoluminescence radiative lifetimes rapid thermal annealing semiconductor quantum dots |
| Descripción no disponible. |