Study of TiN/Ti/HfO2/W resistive switching devices: characterization and modeling of the set and reset transitions using an external capacitor discharge

Producción Científica

Detalhes bibliográficos
Autores:	García García, Héctor, Jiménez Molinos, Francisco, Vinuesa Sanz, Guillermo, Bargalló González, Mireia, Roldán, Juan B., Miranda, Enrique, Campabadal Segura, Francesca, Castán Lanaspa, María Helena, Dueñas Carazo, Salvador
Tipo de documento:	artigo
Estado:	Versão publicada
Data de publicação:	2022
País:	España
Recursos:	Universidad de Valladolid
Repositório:	UVaDOC. Repositorio Documental de la Universidad de Valladolid
OAI Identifier:	oai:uvadoc.uva.es:10324/58643
Acesso em linha:	https://doi.org/10.1016/j.sse.2022.108385 https://uvadoc.uva.es/handle/10324/58643
Access Level:	Acceso aberto
Palavra-chave:	Memristors Resisitive switching ReRAM Set processes Reset processes 33 Ciencias Tecnológicas 22 Física

Descrição
Resumo:	Producción Científica