Influences of the temperature on the electrical properties of HfO2-based resistive switching devices

Producción Científica

Detalles Bibliográficos
Autores: García García, Héctor, Boo Alvarez, Jonathan, Vinuesa Sanz, Guillermo, González Ossorio, Óscar, Sahelices Fernández, Benjamín, Dueñas Carazo, Salvador, Castán Lanaspa, María Helena, Bargalló González, Mireia, Campabadal Segura, Francesca
Tipo de recurso: artículo
Estado:Versión publicada
Fecha de publicación:2021
País:España
Institución:Universidad de Valladolid
Repositorio:UVaDOC. Repositorio Documental de la Universidad de Valladolid
OAI Identifier:oai:uvadoc.uva.es:10324/59092
Acceso en línea:https://doi.org/10.3390/electronics10222816
https://uvadoc.uva.es/handle/10324/59092
Access Level:acceso abierto
Palabra clave:Electric resistors
Switching circuits
Electronic Circuits and Devices
Resistive switching
ReRAM devices
Neuromorphic computing
Conduction mechanisms
2202.03 Electricidad
Descripción
Sumario:Producción Científica