Study of TiN/Ti/HfO2/W resistive switching devices: characterization and modeling of the set and reset transitions using an external capacitor discharge

Producción Científica

Detalles Bibliográficos
Autores:	García García, Héctor, Jiménez Molinos, Francisco, Vinuesa Sanz, Guillermo, Bargalló González, Mireia, Roldán, Juan B., Miranda, Enrique, Campabadal Segura, Francesca, Castán Lanaspa, María Helena, Dueñas Carazo, Salvador
Tipo de recurso:	artículo
Estado:	Versión publicada
Fecha de publicación:	2022
País:	España
Institución:	Universidad de Valladolid
Repositorio:	UVaDOC. Repositorio Documental de la Universidad de Valladolid
OAI Identifier:	oai:uvadoc.uva.es:10324/58643
Acceso en línea:	https://doi.org/10.1016/j.sse.2022.108385 https://uvadoc.uva.es/handle/10324/58643
Access Level:	acceso abierto
Palabra clave:	Memristors Resisitive switching ReRAM Set processes Reset processes 33 Ciencias Tecnológicas 22 Física

Descripción
Sumario:	Producción Científica