Nanoscale conductive pattern of the homoepitaxial AlGaN/GaN transistor

The gallium nitride (GaN)-based buffer/barrier mode of growth and morphology, the transistor electrical response (25-310°C) and the nanoscale pattern of a homoepitaxial AlGaN/GaN high electron mobility transistor (HEMT) have been investigated at the micro and nanoscale. The low channel sheet resista...

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Detalles Bibliográficos
Autores: Perez-Tomas, Amador|||0000-0002-0551-3142, Catalan, Gustau|||0000-0003-0214-4828, Fontserè Recuenco, Abel, Iglesias Santiso, Vanessa|||0000-0001-5831-0974, Chen, H., Gammon, Peter|||0000-0002-8819-3796, Jennings, M. R., Thomas, M., Fisher, C. A., Sharma, Y. K., Placidi, Marcel, Chmielowska, M., Chenot, S., Porti i Pujal, Marc|||0000-0001-7438-3823, Nafria, Montserrat|||0000-0002-9549-2890, Cordier, Y.
Tipo de recurso: artículo
Fecha de publicación:2015
País:España
Institución:Universitat Autònoma de Barcelona
Repositorio:Dipòsit Digital de Documents de la UAB
Idioma:inglés
OAI Identifier:oai:ddd.uab.cat:212894
Acceso en línea:https://ddd.uab.cat/record/212894
https://dx.doi.org/urn:doi:10.1088/0957-4484/26/11/115203
Access Level:acceso abierto
Descripción
Sumario:The gallium nitride (GaN)-based buffer/barrier mode of growth and morphology, the transistor electrical response (25-310°C) and the nanoscale pattern of a homoepitaxial AlGaN/GaN high electron mobility transistor (HEMT) have been investigated at the micro and nanoscale. The low channel sheet resistance and the enhanced heat dissipation allow a highly conductive HEMT transistor (Ids.

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