Determination of Carrier Diffusion Length Using Transient Electron Photoemission Microscopy in the GaAs/InSe Heterojunction
Carrier diffusion length and lifetime parameters for electron transport at nanoscale semiconductor slabs have been fitted using a 1D model and the decay data extracted from transient photoemission electron microscopy. Meanwhile, a conventional photoluminescence quenching measurement needs two separa...
Descripción completa
Detalles Bibliográficos
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Juarez-Perez, Emilio J.,
Qi, Yabing |
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| Tipo de recurso: | artículo
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| Estado: | Versión aceptada para publicación |
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| Fecha de publicación: | 2019 |
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| País: | España |
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| Institución: | Universidad de Zaragoza |
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| Repositorio: | Zaguán. Repositorio Digital de la Universidad de Zaragoza |
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| OAI Identifier: | oai:zaguan.unizar.es:145256 |
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| Acceso en línea: | http://zaguan.unizar.es/record/145256
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| Access Level: | acceso abierto |
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