Modeling and experimental characterization of stepped and v-shaped {311} defects in silicon

Producción Científica

Detalles Bibliográficos
Autores: Marqués Cuesta, Luis Alberto, Aboy Cebrián, María, Dudeck, Karleen J., Botton, Gianluigi A., Knights, Andrew P., Gwilliam, Russell M.
Tipo de recurso: artículo
Fecha de publicación:2014
País:España
Institución:Universidad de Valladolid
Repositorio:UVaDOC. Repositorio Documental de la Universidad de Valladolid
OAI Identifier:oai:uvadoc.uva.es:10324/28616
Acceso en línea:https://doi.org/10.1063/1.4871538
http://uvadoc.uva.es/handle/10324/28616
Access Level:acceso abierto
Palabra clave:Atomistic model
Silicon
Silicio
Descripción
Sumario:Producción Científica