Temperature effect on damage generation mechanisms during ion implantation in Si. A classical molecular dynamics study
Producción Científica
| Autores: | , , , , |
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| Tipo de recurso: | artículo |
| Fecha de publicación: | 2012 |
| País: | España |
| Institución: | Universidad de Valladolid |
| Repositorio: | UVaDOC. Repositorio Documental de la Universidad de Valladolid |
| OAI Identifier: | oai:uvadoc.uva.es:10324/31960 |
| Acceso en línea: | https://doi.org/10.1063/1.4766530 http://uvadoc.uva.es/handle/10324/31960 |
| Access Level: | acceso abierto |
| Palabra clave: | Implantación de iones Silicio Dinámica molecular Silicon Ion implantation Molecular dynamics |
| Sumario: | Producción Científica |
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