Size and strain effects in the E1-like optical transitions of InAs/InP self-assembled quantum dot structures

3 pages, 5 figures.-- PACS: 78.66.Fd; 73.20.Dx; 73.50.Mx; 68.35.Ct; 78.30.Fs; 71.18.+y

Detalles Bibliográficos
Autores:	Prieto, Jose Antonio, Armelles Reig, Gaspar, Groenen, J., Carles, R.
Tipo de recurso:	artículo
Fecha de publicación:	1999
País:	España
Institución:	Consejo Superior de Investigaciones Científicas (CSIC)
Repositorio:	DIGITAL.CSIC. Repositorio Institucional del CSIC
OAI Identifier:	oai:digital.csic.es:10261/21551
Acceso en línea:	http://hdl.handle.net/10261/21551
Access Level:	acceso abierto
Palabra clave:	Indium compounds III-V semiconductors Semiconductor quantum dots Size effects

Descripción
Sumario:	3 pages, 5 figures.-- PACS: 78.66.Fd; 73.20.Dx; 73.50.Mx; 68.35.Ct; 78.30.Fs; 71.18.+y