Critical size for localization of the L-like conduction states in InAs quantum dots grown on GaAs

3 pages, 5 figures.-- PACS: 73.20.Dx; 81.05.Ea; 73.20.Fz; 68.65.+g; 85.30.Vw; 78.66.Fd; 61.72.Hh; 61.46.+w; 71.24.+q; 81.05.Ys

Detalhes bibliográficos
Autores:	Prieto, Jose Antonio, Armelles Reig, Gaspar, García Martínez, Jorge Manuel, González Sotos, Luisa, San Paulo, Álvaro, García García, Ricardo
Formato:	artículo
Fecha de publicación:	2000
País:	España
Recursos:	Consejo Superior de Investigaciones Científicas (CSIC)
Repositorio:	DIGITAL.CSIC. Repositorio Institucional del CSIC
OAI Identifier:	oai:digital.csic.es:10261/21728
Acesso em linha:	http://hdl.handle.net/10261/21728
Access Level:	acceso abierto
Palavra-chave:	Indium compounds Semiconductor quantum dots III-V semiconductors Optical properties

Descrição
Resumo:	3 pages, 5 figures.-- PACS: 73.20.Dx; 81.05.Ea; 73.20.Fz; 68.65.+g; 85.30.Vw; 78.66.Fd; 61.72.Hh; 61.46.+w; 71.24.+q; 81.05.Ys