Forming and Resistive Switching of HfO₂-Based RRAM Devices at Cryogenic Temperature

Producción Científica

Detalles Bibliográficos
Autores:	Mistroni, Alberto, Jia, Ruolan, Dorai Swamy Reddy, Keerthi, Reichmann, Felix, Wenger, Christian, Perez, Eduardo, Castán Lanaspa, María Helena, Perez-Bosch Quesada, Emilio, Dueñas Carazo, Salvador
Tipo de recurso:	artículo
Estado:	Versión publicada
Fecha de publicación:	2024
País:	España
Institución:	Universidad de Valladolid
Repositorio:	UVaDOC. Repositorio Documental de la Universidad de Valladolid
OAI Identifier:	oai:uvadoc.uva.es:10324/73756
Acceso en línea:	https://doi.org/10.1109/LED.2024.3485873 https://uvadoc.uva.es/handle/10324/73756
Access Level:	acceso abierto
Palabra clave:	1T1R , CMOS , cryogenic temperatures , HfO2 , resistive switching , RRAM Cryogenics Logic gates Switches MOSFET Voltage measurement Switching circuits Resistance Hafnium oxide Current measurement Transmission electron microscopy 1T1R CMOS Cryogenic temperatures HfO2 Resistive switching RRAM 2203 Electrónica 3307.91 Microelectrónica. Tecnología del Silicio electrónica

Descripción
Sumario:	Producción Científica