Effect of Ge autodoping during III-V MOVPE growth on Ge substrates

Detalles Bibliográficos
Autores: Barrutia Poncela, Laura|||0000-0001-9363-6662, Barrigón Montañés, Enrique, García Vara, Iván|||0000-0002-9895-2020, Rey-Stolle Prado, Ignacio|||0000-0002-4919-5609, Algora del Valle, Carlos|||0000-0003-1872-7243
Tipo de recurso: artículo
Fecha de publicación:2017
País:España
Institución:Universidad Politécnica de Madrid
Repositorio:Archivo Digital UPM
OAI Identifier:oai:oa.upm.es:50011
Acceso en línea:https://oa.upm.es/50011/
Access Level:acceso abierto
Palabra clave:III-V semiconductor Ge autodoping GaInP solar cells Multijunction solar cell
Descripción
Descripción no disponible.