Impact of the III-V/Ge nucleation routine on the performance of high efficiency multijunction solar cells

Detalles Bibliográficos
Autores:	Barrutia Poncela, Laura\|\|\|0000-0001-9363-6662, García Vara, Iván\|\|\|0000-0002-9895-2020, Barrigón Montañés, Enrique\|\|\|0000-0001-6755-1841, Ochoa Gómez, Mario\|\|\|0000-0002-7108-3638, Algora del Valle, Carlos\|\|\|0000-0003-1872-7243, Rey-Stolle Prado, Ignacio\|\|\|0000-0002-4919-5609
Tipo de recurso:	artículo
Fecha de publicación:	2019
País:	España
Institución:	Universidad Politécnica de Madrid
Repositorio:	Archivo Digital UPM
OAI Identifier:	oai:oa.upm.es:79315
Acceso en línea:	https://oa.upm.es/79315/
Access Level:	acceso abierto
Palabra clave:	Ge bottom cell III-V semiconductor Multijunction solar cell Thermal load VOC

Descripción
Descripción no disponible.