Differences between GaAs/GaInP and GaAs/AlInP interfaces grown by movpe revealed by depth profiling and angle-resolved X-ray photoelectron spectroscopies
| Autores: | , , , , , , , |
|---|---|
| Formato: | artículo |
| Fecha de publicación: | 2015 |
| País: | España |
| Recursos: | Universidad Politécnica de Madrid |
| Repositorio: | Archivo Digital UPM |
| OAI Identifier: | oai:oa.upm.es:47897 |
| Acesso em linha: | https://oa.upm.es/47897/ |
| Access Level: | acceso abierto |
| Palavra-chave: | III–V semiconductors GaInP AlInP ARXPS Depth profiling Interfaces |
| Descrição não disponível. |