Effect of dielectric thickness on resistive switching polarity in TiN/Ti/HfO2/Pt stacks

Producción Científica

Detalles Bibliográficos
Autores: Vinuesa Sanz, Guillermo, García García, Héctor, Bargalló González, Mireia, Kalam, Kristjan, Zabala, Miguel, Tarre, Aivar, Kukli, Kaupo, Tamm, Aile, Campabadal Segura, Francesca, Jiménez López, Juan Ignacio, Castán Lanaspa, María Helena, Dueñas Carazo, Salvador
Tipo de recurso: artículo
Estado:Versión publicada
Fecha de publicación:2022
País:España
Institución:Universidad de Valladolid
Repositorio:UVaDOC. Repositorio Documental de la Universidad de Valladolid
OAI Identifier:oai:uvadoc.uva.es:10324/62092
Acceso en línea:https://doi.org/10.3390/electronics11030479
https://uvadoc.uva.es/handle/10324/62092
Access Level:acceso abierto
Palabra clave:Resistive switching
Switching circuits
Circuitos eléctricos
Electric resistors
Resistencias eléctricas
Conductive filament
Nonvolatile random-access memory
Memoria de acceso aleatorio no volátil
Polarity
Oxide
Hafnium
Electronics
Electricity
2202.03 Electricidad
2203 Electrónica
Descripción
Sumario:Producción Científica

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