Transmisión y conductancia en dispositivos electrónicos basados en grafeno
[ES]El objetivo principal de esta tesis ha sido estudiar las propiedades de transporte electrónico en el régimen balísticos en nano-dispositivos de grafeno en presencia de barreras de potencial y/o nano-constricciones. Se ha prestado especial atención a dispositivos 2D y a la dependencia de la condu...
| Autor: | |
|---|---|
| Tipo de documento: | tese |
| Data de publicação: | 2019 |
| País: | España |
| Recursos: | Universidad de Salamanca (USAL) |
| Repositório: | GREDOS. Repositorio Institucional de la Universidad de Salamanca |
| OAI Identifier: | oai:gredos.usal.es:10366/143530 |
| Acesso em linha: | http://hdl.handle.net/10366/143530 |
| Access Level: | Acceso aberto |
| Palavra-chave: | Tesis y disertaciones académicas Universidad de Salamanca (España) Tesis Doctoral Academic dissertations Transporte de electrones Transistores 2203.06 Transporte de Electrones 3307.19 Transistores |
| Resumo: | [ES]El objetivo principal de esta tesis ha sido estudiar las propiedades de transporte electrónico en el régimen balísticos en nano-dispositivos de grafeno en presencia de barreras de potencial y/o nano-constricciones. Se ha prestado especial atención a dispositivos 2D y a la dependencia de la conductancia con el ángulo de incidencia de los portadores. Aunque los principales resultados de esta tesis son teóricos, algunos de los resultados de transporte balístico en presencia de nano-constricciones han podido ser validados experimentalmente. |
|---|