HWCVD Technology Development Addressed to the High Rate Deposition of mi-c-Si:H

[eng] The first block of this thesis deals with the study of the degradation process of tungsten catalytic filaments in the field of silicon deposition with the Hot Wire Chemical Vapour Deposition (HWCVD) technique. The development of technological solutions addressed to the filaments protection wil...

Descripción completa

Detalles Bibliográficos
Autor: Nos Aguilà, Oriol
Tipo de recurso: tesis doctoral
Estado:Versión publicada
Fecha de publicación:2013
País:España
Institución:Universidad de Barcelona
Repositorio:Dipòsit Digital de la UB
OAI Identifier:oai:diposit.ub.edu:2445/41810
Acceso en línea:https://hdl.handle.net/2445/41810
http://hdl.handle.net/10803/98346
Access Level:acceso abierto
Palabra clave:Cèl·lules solars
Silici
Pel·lícules fines
Semiconductors
Deposició en fase de vapor
Solar cells
Silicon
Thin films
Vapor-plating
id ES_2b2340e9899f8dd22c8faa4eeb662621
oai_identifier_str oai:diposit.ub.edu:2445/41810
network_acronym_str ES
network_name_str España
repository_id_str
spelling HWCVD Technology Development Addressed to the High Rate Deposition of mi-c-Si:HNos Aguilà, OriolCèl·lules solarsSiliciPel·lícules finesSemiconductorsDeposició en fase de vaporSolar cellsSiliconThin filmsVapor-plating[eng] The first block of this thesis deals with the study of the degradation process of tungsten catalytic filaments in the field of silicon deposition with the Hot Wire Chemical Vapour Deposition (HWCVD) technique. The development of technological solutions addressed to the filaments protection will also be dealt as well as the design, fabrication and performance of a novel system for the automatic replacement of used filaments in a HWCVD reactor. The second block deals with the scaling up of HWCVD towards large area deposition and the existence of a scaling law that may allow the deposition of microcrystalline silicon (µc-Si:H) at high rate preserving the material quality.[cat] El primer bloc d'aquesta tesi es centra en l'estudi del procés de degradació dels filaments de tungstè catalítics en el camp de la deposició de silici amb la tècnica de dipòsit químic en fase vapor assistida per filament calent (HWCVD). També es tractarà el desenvolupament de solucions tecnològiques dirigides a la protecció filaments i al reemplaçament d’aquests de forma automàtica, sense interrompre el procés. El segon bloc tracta sobre l’escalat de la tècnica HWCVD cap a gran àrea i sobre l'existència d'una llei d'escala que permeti la deposició de silici microcristal•lí a altes velocitats, tot preservant la qualitat del material.Universitat de BarcelonaBertomeu i Balagueró, JoanFrigeri, Paolo AntonioUniversitat de Barcelona. Departament de Física Aplicada i Òptica2013info:eu-repo/semantics/doctoralThesisinfo:eu-repo/semantics/publishedVersionapplication/pdfhttps://hdl.handle.net/2445/41810http://hdl.handle.net/10803/98346Tesis Doctorals - Departament - Física Aplicada i Òpticareponame:Dipòsit Digital de la UBinstname:Universidad de BarcelonaIngléscc-by-nc-sa (c) Nos Aguilà, 2013http://creativecommons.org/licenses/by-nc-sa/3.0/es/info:eu-repo/semantics/openAccessoai:diposit.ub.edu:2445/418102026-05-27T06:46:51Z
dc.title.none.fl_str_mv HWCVD Technology Development Addressed to the High Rate Deposition of mi-c-Si:H
title HWCVD Technology Development Addressed to the High Rate Deposition of mi-c-Si:H
spellingShingle HWCVD Technology Development Addressed to the High Rate Deposition of mi-c-Si:H
Nos Aguilà, Oriol
Cèl·lules solars
Silici
Pel·lícules fines
Semiconductors
Deposició en fase de vapor
Solar cells
Silicon
Thin films
Vapor-plating
title_short HWCVD Technology Development Addressed to the High Rate Deposition of mi-c-Si:H
title_full HWCVD Technology Development Addressed to the High Rate Deposition of mi-c-Si:H
title_fullStr HWCVD Technology Development Addressed to the High Rate Deposition of mi-c-Si:H
title_full_unstemmed HWCVD Technology Development Addressed to the High Rate Deposition of mi-c-Si:H
title_sort HWCVD Technology Development Addressed to the High Rate Deposition of mi-c-Si:H
dc.creator.none.fl_str_mv Nos Aguilà, Oriol
author Nos Aguilà, Oriol
author_facet Nos Aguilà, Oriol
author_role author
dc.contributor.none.fl_str_mv Bertomeu i Balagueró, Joan
Frigeri, Paolo Antonio
Universitat de Barcelona. Departament de Física Aplicada i Òptica
dc.subject.none.fl_str_mv Cèl·lules solars
Silici
Pel·lícules fines
Semiconductors
Deposició en fase de vapor
Solar cells
Silicon
Thin films
Vapor-plating
topic Cèl·lules solars
Silici
Pel·lícules fines
Semiconductors
Deposició en fase de vapor
Solar cells
Silicon
Thin films
Vapor-plating
description [eng] The first block of this thesis deals with the study of the degradation process of tungsten catalytic filaments in the field of silicon deposition with the Hot Wire Chemical Vapour Deposition (HWCVD) technique. The development of technological solutions addressed to the filaments protection will also be dealt as well as the design, fabrication and performance of a novel system for the automatic replacement of used filaments in a HWCVD reactor. The second block deals with the scaling up of HWCVD towards large area deposition and the existence of a scaling law that may allow the deposition of microcrystalline silicon (µc-Si:H) at high rate preserving the material quality.
publishDate 2013
dc.date.none.fl_str_mv 2013
dc.type.none.fl_str_mv info:eu-repo/semantics/doctoralThesis
info:eu-repo/semantics/publishedVersion
format doctoralThesis
status_str publishedVersion
dc.identifier.none.fl_str_mv https://hdl.handle.net/2445/41810
http://hdl.handle.net/10803/98346
url https://hdl.handle.net/2445/41810
http://hdl.handle.net/10803/98346
dc.language.none.fl_str_mv Inglés
language_invalid_str_mv Inglés
dc.rights.none.fl_str_mv cc-by-nc-sa (c) Nos Aguilà, 2013
http://creativecommons.org/licenses/by-nc-sa/3.0/es/
info:eu-repo/semantics/openAccess
rights_invalid_str_mv cc-by-nc-sa (c) Nos Aguilà, 2013
http://creativecommons.org/licenses/by-nc-sa/3.0/es/
eu_rights_str_mv openAccess
dc.format.none.fl_str_mv application/pdf
dc.publisher.none.fl_str_mv Universitat de Barcelona
publisher.none.fl_str_mv Universitat de Barcelona
dc.source.none.fl_str_mv Tesis Doctorals - Departament - Física Aplicada i Òptica
reponame:Dipòsit Digital de la UB
instname:Universidad de Barcelona
instname_str Universidad de Barcelona
reponame_str Dipòsit Digital de la UB
collection Dipòsit Digital de la UB
repository.name.fl_str_mv
repository.mail.fl_str_mv
_version_ 1869405125551849472
score 15,300724