Capas de SiGe policristalino hidrogenado y su aplicación en transistores de película delgada

En este trabajo se ha caracterizado el proceso de hidrogenación en un plasma generado por resonancia ciclotrónica de electrones de capas de SiGe policristalino obtenidas mediante cristalización en fase sólida y el efecto de la hidrogenación en las características eléctricas de transistores de pelícu...

Descripción completa

Detalles Bibliográficos
Autores: Martil De La Plaza, Ignacio, San Andrés Serrano, Enrique
Tipo de recurso: artículo
Fecha de publicación:2004
País:España
Institución:Universidad Complutense de Madrid (UCM)
Repositorio:Docta Complutense
Idioma:español
OAI Identifier:oai:docta.ucm.es:20.500.14352/51123
Acceso en línea:https://hdl.handle.net/20.500.14352/51123
Access Level:acceso abierto
Palabra clave:537
SiGe Policristalino
Hidrogenación
Plasma ECR
Transistor de Película Delgada
Degradación.
Amorphous-Silicon. Germanium.
Electricidad
Electrónica (Física)
2202.03 Electricidad
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