Aluminum nitride for heatspreading in RF IC&#8217

Detalles Bibliográficos
Autores: La Spina, L., Iborra Grau, Enrique|||0000-0002-1385-1379, Schellevis, H., Clement Lorenzo, Marta|||0000-0003-4956-8206, Olivares Roza, Jimena|||0000-0003-4396-4363, Nanver, L.K.
Tipo de recurso: artículo
Fecha de publicación:2008
País:España
Institución:Universidad Politécnica de Madrid
Repositorio:Archivo Digital UPM
OAI Identifier:oai:oa.upm.es:2617
Acceso en línea:https://oa.upm.es/2617/
Access Level:acceso abierto
Palabra clave:Aluminum nitride
bipolar transistor
electrothermal phenomena
heatspreader
piezoelectric characteristics
RF integration
thermal instabilities
thermal resistance.
Descripción
Descripción no disponible.

Similares en LA Referencia