Optical absorption and band gap shift of n-doped AlxGa1−xAs alloys grown by MBE

Texto completo. Acesso restrito. p. 423–429

Detalhes bibliográficos
Autores:	Silva, A. Ferreira da, Persson, C., Berggren, K. F., Pepe, Iuri Muniz, Alves, A. Santos, Oliveira, A. G. de
Formato:	artículo
Estado:	Versión publicada
Fecha de publicación:	1998
País:	Brasil
Recursos:	Universidade Federal da Bahia (UFBA)
Repositorio:	Repositório Institucional da UFBA
Idioma:	inglés
OAI Identifier:	oai:repositorio.ufba.br:ri/12687
Acesso em linha:	http://www.repositorio.ufba.br/ri/handle/ri/12687
Access Level:	acceso abierto
Palavra-chave:	Doped AlGaAs alloys Band gap energy Photoacoustic spectroscopy Molecular beam epitaxy

Descrição
Resumo:	Texto completo. Acesso restrito. p. 423–429