Nanoestructuras de InGaAs/GaAs para el desarrollo de emisores terahertz
El desarrollo de nuevos mecanismos que permiten la generación de radiación Terahertz (THz), representa una nueva área de trabajo e investigación de gran interés, debido al enorme impacto que se espera en los próximos años en diversas áreas científicas. Con este propósito en este trabajo, estudiamos...
| Autores: | , |
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| Tipo de recurso: | tesis de maestría |
| Estado: | Versión publicada |
| Fecha de publicación: | 2019 |
| País: | México |
| Institución: | Universidad Autónoma de San Luis Potosí |
| Repositorio: | Repositorio Institucional de la UASLP |
| OAI Identifier: | oai:repositorioinstitucional.uaslp.mx:i/7988 |
| Acceso en línea: | https://repositorioinstitucional.uaslp.mx/xmlui/handle/i/7988 |
| Access Level: | acceso abierto |
| Palabra clave: | radiación Terahertz CIENCIAS FÍSICO MATEMATICAS Y CIENCIAS DE LA TIERRA INGENIERÍA Y TECNOLOGÍA |
| Sumario: | El desarrollo de nuevos mecanismos que permiten la generación de radiación Terahertz (THz), representa una nueva área de trabajo e investigación de gran interés, debido al enorme impacto que se espera en los próximos años en diversas áreas científicas. Con este propósito en este trabajo, estudiamos el crecimiento epitaxial por haces moleculares de In1-xGaxAs sobre sustratos de GaAs (100) semiaislantes para promover un doblamiento de bandas que mejore el efecto foto-Dember, para su futura implementación en emisores en el rango THz. Proponemos la utilización de capas metamórficas lineales (gradientes) para lograr este objetivo. El crecimiento de las heteroestructuras fue monitoreado por la técnica RHEED. Durante el proceso de depósito observamos la reconstrucción superficial 2x4 la cual indica la síntesis de estructuras de buena planaridad y calidad cristalina, a pesar de la tensión inherente en el crecimiento de sistemas reticularmente desacoplados. Los gradientes en la concentración gradual de In y Ga registrados mediante SIMS corroboran la formación de las capas metamórficas lineales. Mayor información acerca de la composición de las estructuras se obtuvo por PL. Se constata que para la muestra InAs/GaAs de referencia sólo se obtiene solo la transición óptica relacionada con el InAs. En cambio, en las muestras de capas metamórficas lineales se observan varias transiciones amplias las cuales son indicativo del crecimiento del ternario InGaAs con distintas concentraciones. Estas transiciones parecen indicar la coexistencia de aproximadamente tres aleaciones, las cuales son también son observadas utilizando la técnica de rayos X. Concerniente a la morfología superficial se encuentra por AFM que las muestras finalizan con Rrms cercana a 20nm y una densidad muy baja de cráteres o defectos. La movilidad y concentraciones de estas muestras son comparables con las utilizados para emisores de radiación THz. |
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