Estudio de la síntesis y caracterización de nanoestructuras obtenidas en el sistema InGaAs/GaAs mediante LPE
Hoy en día la mayoría de los dispositivos que utilizamos en la vida diaria se basan en estructuras semiconductoras. Podemos pensar en un simple transistor empleado para producir radios FM o bien un láser de color azul de estado sólido que nos permite leer datos desde un disco y del cual obtenemos im...
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| Tipo de recurso: | tesis doctoral |
| Estado: | Versión publicada |
| Fecha de publicación: | 2015 |
| País: | México |
| Institución: | Universidad Autónoma de San Luis Potosí |
| Repositorio: | Repositorio Institucional de la UASLP |
| OAI Identifier: | oai:repositorioinstitucional.uaslp.mx:i/6089 |
| Acceso en línea: | https://repositorioinstitucional.uaslp.mx/xmlui/handle/i/6089 |
| Access Level: | acceso abierto |
| Palabra clave: | Materiales optoelectrónicos INGENIERÍA Y TECNOLOGÍA |
| Sumario: | Hoy en día la mayoría de los dispositivos que utilizamos en la vida diaria se basan en estructuras semiconductoras. Podemos pensar en un simple transistor empleado para producir radios FM o bien un láser de color azul de estado sólido que nos permite leer datos desde un disco y del cual obtenemos imágenes en alta definición. No debe extrañar entonces que la mayoría de las investigaciones realizadas por científicos modernos, se enfoquen en la mejora continua de dichas estructuras. Desde el descubrimiento del efecto de confinamiento electrónico observado en estructuras de baja dimensión este objetivo de mejora suele contemplar el producir nanoestructuras de mejor calidad y mayor eficiencia. Por un lado puede buscarse la innovación a través de nuevos materiales y aleaciones para determinadas aplicaciones o bien, que se manipulen las características propias de las estructuras para obtener cada vez dispositivos de mejor calidad. |
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