Fabricación de dispositivos flexibles MOS a base de ZrO2
"El desarrollo de dispositivos electrónicos, que son importantes debido a sus múltiples aplicaciones, ha avanzado a lo largo de los años; los objetivos actuales son reducir su tamaño y costo. En la actualidad, surge una nueva necesidad, que es desarrollar dispositivos con la particularidad de q...
| Autor: | |
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| Formato: | tesis de maestría |
| Estado: | Versión publicada |
| Fecha de publicación: | 2019 |
| País: | México |
| Recursos: | Instituto Potosino de Investigación Científica y Tecnológica |
| Repositorio: | Repositorio Institucional del IPICYT |
| OAI Identifier: | oai:ipicyt.repositorioinstitucional.mx:1010/2226 |
| Acesso em linha: | http://ipicyt.repositorioinstitucional.mx/jspui/handle/1010/2226 |
| Access Level: | acceso abierto |
| Palavra-chave: | info:eu-repo/classification/Autor/Capacitores flexibles MOS info:eu-repo/classification/Autor/ZrO2 info:eu-repo/classification/Autor/Spin Coating info:eu-repo/classification/Autor/Sputtering info:eu-repo/classification/cti/7 |
| Resumo: | "El desarrollo de dispositivos electrónicos, que son importantes debido a sus múltiples aplicaciones, ha avanzado a lo largo de los años; los objetivos actuales son reducir su tamaño y costo. En la actualidad, surge una nueva necesidad, que es desarrollar dispositivos con la particularidad de que sean flexibles y, por lo tanto, funcionales para algunas aplicaciones que así lo demandan, con lo que se reduce su costo y aumenta su rendimiento. En este trabajo, se llevó a cabo la fabricación y caracterización de capacitores flexibles MOS (metal-óxido-semiconductor). Se utilizó ZrO2 como óxido. Las películas delgadas de este material se depositaron por spin coating, mediante la ruta química sol-gel, sobre cintas metálicas flexibles de aleación de Ni-Mo-Cr (Hastelloy C-276®), las cuales fueron utilizadas como sustratos. Para esto se preparó una solución 0.1 M disolviendo Cl4Zr (tetracloruro de zirconio) en C3H8O (isopropanol) con agitación y se llevó a un baño de agua fría (10 °C) por dos horas, después se dejó envejecer por 24 horas a 18 °C. El semiconductor utilizado fue silicio tipo p y se creció por sputtering. La caracterización estructural para ambas muestras (ZrO2/Hastelloy y Si-p/ZrO2/Hastelloy) se realizó mediante espectroscopia Raman, difracción de rayos X, elipsometría espectroscópica, microscopia electrónica de barrido y análisis elemental con EDS. El comportamiento capacitivo se verificó mediante mediciones eléctricas para determinar la impedancia compleja de los dispositivos como una función de la frecuencia." |
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