Modulación de electroluminiscencia en heteroestructuras Au/Si-n/SiP/OG/SiOX/ZnO y Au/Si-n/SiP/NTCs/SiOX/ZnO
"Actualmente, una de las líneas de investigación más prometedoras es la obtención de dispositivos fotónicos basados en silicio. El interés mostrado en estos materiales es debido a que el silicio es el segundo material más abundante en la tierra por detrás del oxígeno, así como su sencilla integ...
| Autores: | , |
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| Tipo de recurso: | tesis doctoral |
| Estado: | Versión publicada |
| Fecha de publicación: | 2023 |
| País: | México |
| Institución: | Benemérita Universidad Autónoma de Puebla |
| Repositorio: | Repositorio Institucional de Acceso Abierto RIAA-BUAP |
| Idioma: | español |
| OAI Identifier: | oai:repositorioinstitucional.buap.mx:20.500.12371/18994 |
| Acceso en línea: | https://hdl.handle.net/20.500.12371/18994 |
| Access Level: | acceso abierto |
| Palabra clave: | CIENCIAS FÍSICO MATEMÁTICAS Y CIENCIAS DE LA TIERRA Semiconductores--Investigación Semiconductores--Materiales Óxido de silicio Materiales nanoestructurados Películas delgadas--Propiedades eléctricas Fotoemisión--Investigación Dispositivos electroluminiscentes |
| Sumario: | "Actualmente, una de las líneas de investigación más prometedoras es la obtención de dispositivos fotónicos basados en silicio. El interés mostrado en estos materiales es debido a que el silicio es el segundo material más abundante en la tierra por detrás del oxígeno, así como su sencilla integración en la industria microelectrónica que está basada totalmente en la tecnología del silicio. El objetivo principal del presente trabajo de tesis es investigar las propiedades eléctricas de materiales nanoestructurados basados en silicio como son el silicio poroso (SiP) y el óxido de silicio fuera de estequiometría (SiOX), y su interacción con materiales basados en carbono como son el óxido de grafeno (OG) y los nanotubos de carbono (NTCs), así como películas de óxido de zinc (ZnO)". |
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