Caracterización estructural y óptica de compósitos ZnO-SiOx obtenidos por la técnica Cat-CVD
Se obtuvieron compósitos de óxido de Zinc-óxido de Silicio fuera de estequiometría (ZnO-SiOx) por la técnica de depósito químico en fase vapor catalítico (Cat-CVD) a una temperatura de depósito de 950 0C. Los experimentos se llevaron a cabo en el rango de 800-1100 0C. Del análisis por difracción de...
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| Tipo de recurso: | artículo |
| Estado: | Versión publicada |
| Fecha de publicación: | 2011 |
| País: | México |
| Institución: | Benemérita Universidad Autónoma de Puebla |
| Repositorio: | Redalyc-BUAP |
| OAI Identifier: | oai:redalyc.org:94219993001 |
| Acceso en línea: | https://www.redalyc.org/articulo.oa?id=94219993001 |
| Access Level: | acceso abierto |
| Palabra clave: | Física, Astronomía y Matemáticas ZnO Cat CVD XRD SiOx |
| Sumario: | Se obtuvieron compósitos de óxido de Zinc-óxido de Silicio fuera de estequiometría (ZnO-SiOx) por la técnica de depósito químico en fase vapor catalítico (Cat-CVD) a una temperatura de depósito de 950 0C. Los experimentos se llevaron a cabo en el rango de 800-1100 0C. Del análisis por difracción de rayos-X (XRD) y espectroscopia infrarroja por transformada de Fourier (FTIR), se encontró que a 800 0C se obtiene la fase de ZnO pura. Se observó que con el incremento de la temperatura de depósito, la estructura del material comienza a ser dominada por el SiOx hasta que solo se obtiene esta fase a 1100 0C. Sin embargo, se encontró que a 950 0C se obtiene el compósito de ZnO-SiOx. El cambio gradual de fase se asoció a la re-evaporación de Zinc (Zn) y al incremento en la movilidad superficial de los átomos de silicio (Si) al aumentar la temperatura. Los espectros de fotoluminiscencia (FL) muestran dos bandas de emisión: una desde 450 hasta 700 nm, y otra banda amplia de 600 a 1100 nm aproximadamente. Estas emisiones son relacionadas generalmente con transiciones radiativas debidas a la presencia de vacancias de oxígeno (Vo) en el ZnO y nanocristales de Si en el SiOx. |
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