Síntesis de polvos de AlxGa1-xN para obtener blancos y depositar películas por sputtering y su caracterización
"En este trabajo de tesis, se propone la obtención de películas de AlxGA1-xN depositadas por RF magnetrón sputtering primeramente en atmósfera de N2 y en segundo lugar en atmósfera de N2/Ar, usando blancos preparados con polvos sintetizados por pirólisis. El primer paso es la obtención de polvo...
| Autor: | |
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| Tipo de recurso: | tesis de maestría |
| Estado: | Versión publicada |
| Fecha de publicación: | 2024 |
| País: | México |
| Institución: | Benemérita Universidad Autónoma de Puebla |
| Repositorio: | Repositorio Institucional de Acceso Abierto RIAA-BUAP |
| Idioma: | español |
| OAI Identifier: | oai:repositorioinstitucional.buap.mx:20.500.12371/20566 |
| Acceso en línea: | https://hdl.handle.net/20.500.12371/20566 |
| Access Level: | acceso abierto |
| Palabra clave: | CIENCIAS FÍSICO MATEMÁTICAS Y CIENCIAS DE LA TIERRA Dispositivos electroluminiscentes Películas delgadas--Materiales Semiconductores Nitruro de galio Peliculas delgadas--Propiedades opticas |
| Sumario: | "En este trabajo de tesis, se propone la obtención de películas de AlxGA1-xN depositadas por RF magnetrón sputtering primeramente en atmósfera de N2 y en segundo lugar en atmósfera de N2/Ar, usando blancos preparados con polvos sintetizados por pirólisis. El primer paso es la obtención de polvos vía pirólisis, esto se desarrolla a partir de un compuesto complejo metalorgánico, utilizando como reactivos nitrato de aluminio (Al(NO3)3), nitrato de galio (Ga(NO3)3) de ultra alta pureza y carbohidrazida (CH6N4O), posteriormente se realiza el proceso de nitruración mediante un recocido en flujo de amoníaco (NH3) a 1000°C durante 1 hora. Una vez sintetizados los polvos de AlGaN, se realizó el proceso de sinterizado a una temperatura de 800°C durante una hora en atmosfera de N2, en un horno de tres zonas, con el propósito de obtener los blancos con la firmeza necesaria para el depósito por RF magnetrón sputtering; posteriormente el blanco se introdujo en el equipo Intercovamex V1, para el depositó de películas de Al0.6Ga0.4N, AlN y GaN en sustratos de silicio tipo N, con una orientación (100) así como en sustratos de cuarzo, se utilizó un tamaño de blanco de 2.54 cm de diámetro y 0.5 cm de espesor". |
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