Caracterización Óptica y Estructural de Películas Semiconductoras de InAsSb para Aplicación en el Infrarrojo
sustrato el GaSb tienen una energía de gap que puede ser obtenida entre 1.58 eV (0.8 μm) hasta 0.03 eV (4.3 μm). En este periodo nos ocupamos en crecer películas epitaxiales basadas en aleaciones de InAs0.91Sb0.09 con longitud de onda alrededor de 3 μm. Usamos también las técnicas de espectroscopia...
| Autores: | , , |
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| Tipo de recurso: | artículo |
| Estado: | Versión publicada |
| Fecha de publicación: | 2009 |
| País: | México |
| Institución: | Instituto Politécnico Nacional |
| Repositorio: | Repositorio Digital del IPN |
| OAI Identifier: | oai:www.repositoriodigital.ipn.mx:123456789/10849 |
| Acceso en línea: | http://hdl.handle.net/123456789/353 http://www.repositoriodigital.ipn.mx/handle/123456789/10849 |
| Access Level: | acceso abierto |
| Palabra clave: | peliculas semiconductoras InAsSb |
| Sumario: | sustrato el GaSb tienen una energía de gap que puede ser obtenida entre 1.58 eV (0.8 μm) hasta 0.03 eV (4.3 μm). En este periodo nos ocupamos en crecer películas epitaxiales basadas en aleaciones de InAs0.91Sb0.09 con longitud de onda alrededor de 3 μm. Usamos también las técnicas de espectroscopia raman, microscopia electrónica de barrido (SEM) y de fuerza atómica (AFM) así como de fotoacústica (PA); para caracterizar sus propiedades ópticas, estructurales y la calidad de la interface entre la película y el substrato bajo diversas condiciones de crecimiento. |
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