Depósito de nanocapas InGaN y GaN por ALD sobre silicio para su posible aplicación en fotosensores y celdas solares
"En el presente trabajo se realiza el estudio de las heteroestructuras Si/InGaN y Si/GaN para su aplicación en fotosensores y celdas solares. Para ello, se realizaron simulaciones numéricas a través del software Silvaco atlas, tomando en cuenta datos experimentales y de la literatura. Con el fi...
| Autor: | |
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| Formato: | tesis de maestría |
| Estado: | Versión publicada |
| Fecha de publicación: | 2022 |
| País: | México |
| Recursos: | Benemérita Universidad Autónoma de Puebla |
| Repositorio: | Repositorio Institucional de Acceso Abierto RIAA-BUAP |
| Idioma: | español |
| OAI Identifier: | oai:repositorioinstitucional.buap.mx:20.500.12371/16988 |
| Acesso em linha: | https://hdl.handle.net/20.500.12371/16988 |
| Access Level: | acceso abierto |
| Palavra-chave: | CIENCIAS FÍSICO MATEMÁTICAS Y CIENCIAS DE LA TIERRA Dispositivos optoelectrónicos Celdas solares--Materiales--Investigación Detectores ópticos--Materiales Semiconductores Heteroestructuras Películas delgadas--Propiedades eléctricas Películas delgadas--Propiedades ópticas |
| Resumo: | "En el presente trabajo se realiza el estudio de las heteroestructuras Si/InGaN y Si/GaN para su aplicación en fotosensores y celdas solares. Para ello, se realizaron simulaciones numéricas a través del software Silvaco atlas, tomando en cuenta datos experimentales y de la literatura. Con el fin, de determinar los parámetros críticos de funcionamiento de los dispositivos que pudiesen mejorar el funcionamiento de los dispositivos optoelectrónicos. Una vez determinados estos valores, se crecieron las películas nanométricas GaN e InGaN en silicio, por la técnica de depósito de capas atómicas Asistida por plasma (PEALD) e investigamos las propiedades eléctricas, ópticas y estructurales de los dispositivos. Demostrando así, la obtención de los materiales lll-nitruros y el funcionamiento de las heteroestructuras Si/GaN y Si/ InGaN como dispositivos optoelectrónicos". |
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